反應離子刻蝕機原理是將10~100MHZ高頻電壓置于平板電極之間能在試樣之前產生幾百微米厚的離子層。當化學腐蝕時，離子以一種高速碰撞方式完成化學反應腐蝕。所以，為了得到高速、垂直腐蝕表面，大多數加速離子都無法與其它氣體分子碰撞，從而直接沖擊試件。要實現這一目標，就需要優化諸如真空、氣體流量、離子加速電壓等參數，同時要得到高密度等離子體，還需要通過磁場提高處理能力。

根據國內RIE腐蝕系統的研發與生產需要，可提供多種型號。

反應離子刻蝕機參數：

1.鋁材料或不銹鋼腔。

2.不銹鋼箱。

3.腐蝕硅(~400A/min)或金屬。

4.射頻源：陽極化射頻板較高12度。

5.雙刻蝕容量：RIE和等離子腐蝕。

6.風力電梯。

7.手動/自動安裝。

8.預抽真空室。

9.計算機控制。

10.選擇ICP源和平臺低溫冷卻導致深硅腐蝕。

選擇反應離子刻蝕機

1.采用各向同性腐蝕高密度等離子體。

2.ICP等離子源，2KWRF電源和調諧器。

3.低溫基底冷卻。

4.檢查終點。

5.1KW射頻電流源和調諧器。

6.低頻電流源和調諧器。

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