隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，集成，設(shè)備尺寸，使許多傳統(tǒng)的微電子材料和技術(shù)面臨巨大的挑戰(zhàn)，但原子層沉積(ALD)技術(shù)作為一種優(yōu)良的涂層技術(shù)，由于其高膜純度、均勻性和保護(hù)性，也能非常準(zhǔn)確地控制膜的厚度和成分，仍受到廣泛關(guān)注，原子層沉積設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、光電子、太陽能等領(lǐng)域。

原子層沉積設(shè)備ALD技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)。

前驅(qū)體是一種飽和化學(xué)吸附劑，可以產(chǎn)生大面積均勻的薄膜。

作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層，可生成優(yōu)良的三維保形化學(xué)計(jì)量膜。

可以很容易地進(jìn)行摻雜和界面修正。

多組分納米片和混合氧化物可以沉積。

低溫(室溫至400℃)可進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)。

固有的沉積均勻性，易于縮放，可按比例直接放大。

薄膜的厚度可以簡(jiǎn)單準(zhǔn)確地控制反應(yīng)周期數(shù)，從而形成薄膜，達(dá)到原子層厚度的精度。

對(duì)灰塵相對(duì)不敏感，薄膜可以在灰塵顆粒下生長(zhǎng)。

可廣泛應(yīng)用于各種形狀的基底。

反應(yīng)物流量的均勻性不需要控制。

一個(gè)ALD沉淀周期可分為四個(gè)步驟：

(1)化學(xué)吸附或反應(yīng)發(fā)生在反應(yīng)前驅(qū)體和基片表面。

(2)利用惰性氣體將多余的前驅(qū)體和副產(chǎn)物從反應(yīng)腔中去除。

(3)第二反應(yīng)前體與基片表面的前體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生薄膜。

(4)反應(yīng)完全后，用惰性氣體將多余的前驅(qū)體和副產(chǎn)物從腔體中去除。

前驅(qū)體的特點(diǎn)：

(1)揮發(fā)性好(易液化)。

(2)反應(yīng)性高。

(3)化學(xué)穩(wěn)定性好。

(4)不會(huì)腐蝕薄膜或基片，反應(yīng)產(chǎn)物呈惰性。

(5)液體或氣體較好。

(6)材料無毒，防止環(huán)境污染。

以上就是小編今日為大家介紹的原子層沉積設(shè)備的原子層沉積(ALD)技術(shù)，感謝大家耐心的閱讀！